摩根大通：臺(tái)積電的技術(shù)突破，AI時(shí)代的關(guān)鍵引擎

激石Pepperstone(http://qintiejiang.com/)報(bào)道：

4月24日，臺(tái)積電舉辦2024年科技研討會(huì)北美峰會(huì)，會(huì)上亮相諸多前沿技術(shù)，備受市場(chǎng)關(guān)注。

摩根大通在26日最新報(bào)告中表示，此次峰會(huì)的亮點(diǎn)包括A16工藝節(jié)點(diǎn)的推出、先進(jìn)封裝技術(shù)SoW的亮相，以及硅光子技術(shù)的進(jìn)一步創(chuàng)新。報(bào)告強(qiáng)調(diào)了臺(tái)積電在AI時(shí)代的技術(shù)領(lǐng)先地位，并給出了“增持”評(píng)級(jí)和新臺(tái)幣900元的目標(biāo)價(jià)。

臺(tái)積電（TSMC）在其北美技術(shù)研討會(huì)上首次介紹了A16工藝節(jié)點(diǎn)，這是其首個(gè)集成納米片晶體管和采用臺(tái)積電超級(jí)功率軌架構(gòu)的背面供電的節(jié)點(diǎn)。A16預(yù)計(jì)將在2026年投入生產(chǎn)，特別適合某些高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用，尤其是那些從更高時(shí)鐘速度中受益的應(yīng)用。A16很可能是N2家族的延伸，繼N2和N2P/N2X之后推出。A16的PPA（性能、功耗、面積）增益顯著，預(yù)計(jì)將持續(xù)推動(dòng)無(wú)晶圓廠客戶(hù)對(duì)N2家族的需求，特別是在HPC和AI領(lǐng)域。

A14工藝節(jié)點(diǎn)及高NA EUV的使用

A14是TSMC在其年度報(bào)告中概述的獨(dú)立新工藝節(jié)點(diǎn)，預(yù)計(jì)將采用第二代納米片晶體管和更先進(jìn)的背面供電網(wǎng)絡(luò)，帶來(lái)全面的節(jié)點(diǎn)PPA優(yōu)勢(shì)。A14可能在2027-28年開(kāi)始生產(chǎn)。A16作為N2家族的延伸，將不會(huì)使用高NA EUV工具。對(duì)于A14，臺(tái)積電可能會(huì)考慮使用一些高NA EUV工具，但由于生態(tài)系統(tǒng)的準(zhǔn)備情況（光刻膠、掩模尺寸擴(kuò)展、實(shí)際生產(chǎn)場(chǎng)景中的吞吐量），廣泛使用的可能性相當(dāng)有限。

先進(jìn)封裝技術(shù)的下一步：SoW

臺(tái)積電還首次推出了其晶圓級(jí)系統(tǒng)（SoW）產(chǎn)品，該產(chǎn)品允許封裝大量芯片（邏輯芯片、復(fù)合SoIC封裝、HBM和其他芯片），以及在完整12英寸硅晶圓尺度上的電源和熱模塊。這將是與CoWoS和3DSoIC相比，先進(jìn)封裝復(fù)雜性和能力的顯著提升，因?yàn)檎麄€(gè)計(jì)算系統(tǒng)可能會(huì)被封裝在單個(gè)晶圓中。

硅光子技術(shù)的進(jìn)一步創(chuàng)新

臺(tái)積電宣布開(kāi)發(fā)其光子引擎（COUPE），以實(shí)現(xiàn)光子和電子芯片的堆疊，大幅降低能耗和阻抗。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2026年引領(lǐng)共封裝光學(xué)技術(shù)的發(fā)展。這與臺(tái)積電作為Broadcom和NVIDIA（兩家目前在先進(jìn)共封裝光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域領(lǐng)先的公司）的主要合作伙伴的觀點(diǎn)一致。

N2 NanoFlex、N4C和汽車(chē)先進(jìn)封裝

臺(tái)積電宣布了N2的NanoFlex可用性，這是對(duì)N3中宣布的FinFlex的擴(kuò)展。這使客戶(hù)能夠在同一個(gè)芯片中混合使用不同類(lèi)型的晶體管，以在性能、功耗和密度之間進(jìn)行權(quán)衡。臺(tái)積電還宣布了N4C，這將從N4P實(shí)現(xiàn)9%的縮減，從而在2025年為成本敏感的應(yīng)用降低成本。最后，汽車(chē)SoC和ADAS芯片也在轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝，臺(tái)積電開(kāi)始為ADAS芯片和SoC提供InFO和CoWoS-R解決方案。

結(jié)論：臺(tái)積電將繼續(xù)領(lǐng)先3-5年

基于以上理由，摩根大通對(duì)臺(tái)積電的評(píng)級(jí)為“增持”，目標(biāo)價(jià)為新臺(tái)幣900元。

摩根大通的報(bào)告強(qiáng)調(diào)了臺(tái)積電在技術(shù)創(chuàng)新和先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，以及其在AI時(shí)代的關(guān)鍵作用。通過(guò)一系列技術(shù)突破，臺(tái)積電有望在未來(lái)幾年繼續(xù)保持其在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。